企业简介
无锡格菲电子薄膜科技有限公司致力于将石墨烯透明导电薄膜应用于触控传感器领域。目前格菲已建成年产500万片的石墨烯触控产品示范生产线，2014年9月实现年产两千万片石墨烯触控产品。 产品应用 触摸屏、石墨烯传感器、柔性显示器件、薄膜太阳能产品、水处理器件、超导器件、石墨烯导热膜、石墨烯散热膜、石墨烯透明电磁屏蔽膜、石墨烯智能调光膜、OLED等。
无锡格菲电子薄膜科技有限公司的工商信息
- 320206000202306
- 91320206595624559L
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2012年05月15日
- 瞿研
- 5800.000000
- 2012年05月15日 至 永久
- 无锡市惠山区市场监督管理局
- 2018年04月28日
- 无锡惠山经济开发区堰新路311号1号楼0908、0910
- 石墨烯薄膜、触摸传感器、触摸屏、石墨烯发光晶体管、电子元器件、仪器仪表、检测设备的研发、销售、技术转让、技术服务、技术咨询；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。以下限分支机构经营：石墨烯薄膜、触摸传感器、触摸屏、石墨烯发光晶体管、电子元器件、仪器仪表、检测设备的制造、加工。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
无锡格菲电子薄膜科技有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | http://www.graphenefilm.com.cn/ |
| 网站 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司官网 | www.graphenefilm.com.cn |
| 网站 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | www.graphenefilm.cn |
无锡格菲电子薄膜科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 12691897 |  |
格菲 GRAPHENE | 2013-06-03 | 碳素材料;石墨烯传感器;石墨烯防尘面罩;石墨烯导电薄膜;石墨烯发光晶体管;石墨烯有机发光二极管;石墨烯触摸屏; | 查看详情 |
| 2 | 16493640 |  |
图形 | 2015-03-16 | 有机玻璃；塑料板；电控透光塑料薄膜；非包装用塑料膜；石墨烯太阳能薄膜；防静电薄膜；石墨烯反渗透膜（水处理薄膜）；石墨烯防锈薄膜；石墨烯防腐蚀薄膜；石墨烯吸波材料；石墨烯太阳能薄膜；石墨烯防腐蚀薄膜；石墨烯防锈薄膜；石墨烯反渗透膜（水处理薄膜）；防静电薄膜 | 查看详情 |
| 3 | 16493641 |  |
图形 | 2015-03-16 | 碳素材料；石墨烯防尘面罩；石墨烯触摸屏；石墨烯导电薄膜；石墨烯有机发光二极管；石墨烯发光晶体管；石墨烯传感器 | 查看详情 |
| 4 | 12691896 |  |
格菲 GRAPHENE | 2013-06-03 | 石墨烯防腐蚀薄膜;石墨烯防锈薄膜;石墨烯太阳能薄膜;石墨烯反渗透膜(水处理薄膜);防静电薄膜;石墨烯吸波材料;非包装用塑料膜;电控透光塑料薄膜;塑料板;有机玻 | 查看详情 |
无锡格菲电子薄膜科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103184425B | 一种低温化学气相沉积生长石墨烯薄膜的方法 | 2016.12.28 | 本发明涉及一种低温条件下制备石墨烯薄膜的方法，所述方法至少包括以下步骤：（1）对金属衬底进行平整处理 |
| 2 | CN105752965A | CVD方法制备石墨烯中直接形成多层石墨烯薄膜的刻蚀方法 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种CVD方法制备石墨烯中直接形成多层石墨烯薄膜的刻蚀方法，1)将CVD方法生长有石墨烯 |
| 3 | CN106042052A | 一种用于薄膜表面打孔的阵列式打孔器及电热膜排气阵列孔的快速制造方法 | 2016.10.26 | 本发明公开了一种用于薄膜表面打孔的阵列式打孔器及电热膜排气阵列孔的快速制造方法，所述打孔器为针板式或 |
| 4 | CN106222660A | 一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液及其低温刻蚀方法 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种CVD法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液，盐酸浓度为0.7‑1.3mol/L、双氧水的氧化 |
| 5 | CN106197772A | 一种柔性压力传感器及其制备方法 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种柔性压力传感器，包括感应层、衬底层、隔离层和电极，所述隔离层位于感应层与衬底层中间， |
| 6 | CN106486344A | 一种图案化的石墨烯薄膜的制备方法 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种图案化的石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)将生长好石墨烯/金属衬底中石墨烯一面 |
| 7 | CN106587029A | 一种三维结构石墨烯薄膜的制备方法及其制备用生长衬底 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种三维结构石墨烯薄膜的制备方法及其制备用生长衬底，所述生长衬底由金属箔与金属网交替叠合 |
| 8 | CN106587038A | 一种石墨烯薄膜基底的处理液、处理方法及石墨烯薄膜的制备方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种石墨烯薄膜基底的处理液及其制备方法、石墨烯薄膜基底的处理方法和石墨烯薄膜的制备方法， |
| 9 | CN106564226A | 一种石墨烯薄膜的目标基底及其制备方法、石墨烯薄膜的制备方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种石墨烯薄膜的目标基底，为基底膜/胶膜的复合结构，所述胶膜内含有聚乙烯吡咯烷酮。本发明 |
| 10 | CN106553789A | 一种屏幕智能贴膜及其制备方法 | 2017.04.05 | 本发明公开了一种屏幕智能贴膜，包括：PET膜，PET膜作为手机智能贴膜表面的一面带有功能性涂层，另一 |
| 11 | CN106517154A | 一种CVD法生长石墨烯后去除杂质的方法及石墨烯薄膜的制备方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种CVD法生长石墨烯后去除杂质的方法，将CVD法生长的石墨烯/金属衬底/石墨烯中留存的 |
| 12 | CN106517163A | 一种用于CVD法制备石墨烯的冷壁炉及连续生产方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种用于CVD法制备石墨烯的冷壁炉及连续生产方法，所述冷壁炉包括进样舱、工艺舱、出样舱， |
| 13 | CN106484205A | 一种互电容触摸屏功能片及其制备方法 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种互电容触摸屏功能片及其制备方法，所述互电容触摸屏功能片的结构包括基底膜，设置于基底膜 |
| 14 | CN106445229A | 一种超窄边框石墨烯触控传感器及其制备方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种超窄边框石墨烯触控传感器及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：1)电极的制备a.在基 |
| 15 | CN106427145A | 一种用作石墨烯薄膜载体的超柔基底膜及其制备方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种用作石墨烯薄膜载体的超柔基底膜及其制备方法，含有超柔基底膜的超柔性石墨烯薄膜及其制备 |
| 16 | CN104118871B | 一种石墨烯生长衬底的复合刻蚀液及其刻蚀方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种石墨烯生长衬底的复合刻蚀液，每100重量份刻蚀液中添加有如下重量份的物质：表面活性剂 |
| 17 | CN104409580B | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 | 2017.02.01 | 本发明公开一种GaN基LED外延片，所述外延片在层状方向由下至上包括蓝宝石衬底、催化剂层、石墨烯层、 |
| 18 | CN103935988B | 一种石墨烯薄膜的转移方法 | 2017.01.11 | 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法。该方法首先将通过化学气相沉积法沉积有石墨烯薄膜的金属衬底与带有热 |
| 19 | CN106304428A | 一种高温电热膜及其制备方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种高温电热膜及其制备方法，所述高温电热膜包括石墨发热体、端子，所述电极与石墨发热体连接 |
| 20 | CN104021881B | 一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法。本发明利用掺杂试剂对转移膜上的石墨烯薄膜进行掺杂，而后 |
| 21 | CN106166864A | 一种电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：1)对目标基底进行电晕处理；2)将胶 |
| 22 | CN106158144A | 一种超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种超薄超柔性石墨烯导电薄膜的制备方法，包含以下步骤：1)将CVD法生长的石墨烯/金属箔 |
| 23 | CN106145098A | 一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，1)将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一 |
| 24 | CN106155416A | 一种复合膜触控传感器及其制备方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种复合膜触控传感器，包括基底、IT0(氧化铟锡)导电膜、石墨烯层和金属电极，所述基底、 |
| 25 | CN106115672A | 一种CVD法制备的石墨烯的转移方法 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种CVD法制备的石墨烯的转移方法，在现有转移方法过程中，事先对目标基底进行处理，即在目 |
| 26 | CN106113732A | 一种石墨烯树脂薄膜的制备方法 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种石墨烯树脂薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)对目标基底进行电晕处理；2)在目标基底上 |
| 27 | CN105819431A | 一种石墨烯薄膜的转移方法 | 2016.08.03 | 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，是通过将生长好石墨烯的衬底，与转移目标衬底粘结后，放置在湿氧环 |
| 28 | CN103760722B | 一种以石墨烯作为透明导电电极的智能调光膜及其制备方法 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种以石墨烯作为透明导电电极的智能调光膜，以上下两侧的石墨烯薄膜作为导电电极，将液晶混合 |
| 29 | CN105719953A | 一种去除石墨烯的方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种去除石墨烯的方法，是采用特定波长的紫外光，在特定环境中，处理石墨烯薄膜，将指定区域的 |
| 30 | CN105620713A | 一种带有表面氦气阻隔层的蒙皮及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种带有表面氦气阻隔层的蒙皮，所述氦气阻隔层为PDDA层和石墨烯粉体层相互交替贴合构成， |
| 31 | CN105603384A | 一种CVD沉积石墨烯膜的规模化生产方法 | 2016.05.25 | 本发明公开了一种CVD沉积石墨烯膜的规模化生产方法，采用化学气相沉积技术，在真空状态下先对金属基底进 |
| 32 | CN105589598A | 一种图案化石墨烯的制造方法 | 2016.05.18 | 本发明公开一种图案化石墨烯的制造方法，该方法包括如下步骤：（1）在目标基体的表面印刷图案化的可剥胶， |
| 33 | CN105589599A | 一种石墨烯触控传感器的制造方法 | 2016.05.18 | 本发明公开一种石墨烯触控传感器的制造方法，该方法包括如下步骤：首先，在目标基体表面制作金属网格电极图 |
| 34 | CN105565303A | 一种热熔胶膜转移石墨烯的方法 | 2016.05.11 | 本发明公开一种热熔胶膜转移石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：（1）将生长在衬底上的石墨烯、热熔胶膜和 |
| 35 | CN105563919A | 一种可储存石墨烯膜及其制备方法 | 2016.05.11 | 本发明公开一种可储存石墨烯膜，其具有如下层状结构：离型膜/石墨烯/半固化膜/离型膜。通过（1）采用压 |
| 36 | CN105551976A | 一种导电图形的形成方法 | 2016.05.04 | 本发明公开一种导电图形的形成方法，该方法包括如下步骤：（1）通过UV半固化膜将目标基底与石墨烯贴合在 |
| 37 | CN103000817B | 一种柔性有机发光二极管 | 2016.04.20 | 本发明涉及一种基于石墨烯复合阳极的柔性有机发光二极管器件，所述柔性有机发光二极管器件包括：柔性基板（ |
| 38 | CN102709310B | 一种柔性有机发光晶体管显示器件 | 2016.04.20 | 本发明涉及一种柔性有机发光晶体管器件，所述晶体管器件包括：衬底（1）；源漏电极层（2a及2b）；电荷 |
| 39 | CN103935992B | 一种石墨烯转移方法 | 2016.04.20 | 本发明公开一种石墨烯转移方法，将生长在衬底上的石墨烯转移至目标基体上，包括如下步骤：(1)在石墨烯和 |
| 40 | CN102534766B | 一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置及其应用 | 2016.03.09 | 本发明提供一种快速连续制备大尺寸石墨烯薄膜的装置，该装置包括热源、卷对卷和气瓶，所述卷对卷带动催化金 |
| 41 | CN104030282B | 利用有机金属化合物生长层数可控石墨烯的方法 | 2016.03.09 | 本发明公开了一种利用有机金属化合物生长层数可控石墨烯的方法。本发明在使用CVD方法在铜衬底上生长石墨 |
| 42 | CN104016335B | 一种石墨烯的转移方法 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种石墨烯的转移方法，1）在生长衬底上生长石墨烯；2）用粘性膜贴附生长衬底上生长出的石墨 |
| 43 | CN204702805U | 一种弧形石英支架 | 2015.10.14 | 本实用新型提供了一种弧形石英支架，包括弧形底座以及位于弧形底座两端的弧形挡板，在弧形挡板上端开设有半 |
| 44 | CN104793786A | 石墨烯触摸屏传感器的制造方法 | 2015.07.22 | 本发明公开了一种石墨烯触摸屏传感器的制造方法，以转移有石墨烯薄膜的基底为对象，预先将电极印刷区的石墨 |
| 45 | CN102774118B | 一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法 | 2015.05.13 | 本发明涉及一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法，所述方法是利用静电保护膜的静电吸附作用贴合包含 |
| 46 | CN104519723A | 一种石墨烯基导热片 | 2015.04.15 | 本发明公开一种石墨烯基导热片，包括绝缘层、石墨烯层、导热基底和导热胶层，在导热胶层的两侧由内向外依次 |
| 47 | CN104409580A | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 | 2015.03.11 | 本发明公开一种GaN基LED外延片，所述外延片在层状方向由下至上包括蓝宝石衬底、催化剂层、石墨烯层、 |
| 48 | CN104386674A | 一种半干膜转移石墨烯的方法 | 2015.03.04 | 本发明公开一种半干膜转移石墨烯的方法，包括如下步骤：（1）将第一基底上的石墨烯与半干膜贴合在一起；（ |
| 49 | CN204178351U | 一种双层电容式触摸屏 | 2015.02.25 | 本实用新型公开一种双层电容式触摸屏，它包括盖板，在所述盖板上贴合有石墨烯层电极和氧化铟锡层电极，其中 |
| 50 | CN102583356B | 一种转移和清洗石墨烯薄膜的方法 | 2015.01.21 | 本发明涉及一种转移和清洗石墨烯薄膜的方法，采用电化学方法剥离石墨烯薄膜，并在剥离得到石墨烯薄膜后，向 |
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